DMT10H017LPD-13 Especificaciones técnicas

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54.7A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
Power - Max 2.2W Ta 78W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4m Ω @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1986pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.6nC @ 10V
FET Feature Standard
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2416
DMT10H010LCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 644
DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1439
DMT10H010LSS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2532
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10364
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2614
DMT10H014LSS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2532
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2805
DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2587

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