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DMT10H015LCG-13 Especificaciones técnicas

MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package V-DFN3333-8
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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DMT10H015LCG-13 Documentos

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Otros incluyen   "DMT10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMT10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2416
DMT10H010LCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 644
DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1439
DMT10H010LSS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2532
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10364
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2614
DMT10H014LSS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2532
DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2805
DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2705

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