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DMT10H015LCG-7
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DMT10H015LCG-7 Especificaciones técnicas
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | V-DFN3333-8 |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'DMT10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DMT10H009SPS-13 | Diodes Incorporated | CIs Calientes Especializados | 2416 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 644 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2576 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1439 |
DMT10H010LSS | Diodes Incorporated | CIs Calientes Especializados | 2532 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10364 |
DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2614 |
DMT10H014LSS | Diodes Incorporated | CIs Calientes Especializados | 2532 |
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2805 |
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2587 |
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Etiquetas en Blanco
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