DMNH6035SPDW-13 Especificaciones técnicas

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 24 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Power - Max 2.4W Ta 68W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature Standard
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMNH6008SCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2675
DMNH6008SCTQ Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2740
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9311
DMNH6008SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9287
DMNH6012LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2572
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
DMNH6021SK3Q-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799

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