DMNH6012LK3Q-13 Especificaciones técnicas

MOSFET NCH 60V 80A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMNH6008SCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2675
DMNH6008SCTQ Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2740
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9311
DMNH6008SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9287
DMNH6012LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2572
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
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