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DMN67D8LW-13
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DMN67D8LW-13 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V SOT323
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.82nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240mA (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DMN67" partes
Las siguientes partes incluyen 'DMN67'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DMN67D7L-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2768 |
DMN67D7L-7 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
DMN67D8L-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2660 |
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3429 |
DMN67D8LDW-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2605 |
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 129000 |
DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22238 |
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