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DMN67D7L-13 Especificaciones técnicas

MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.821nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±40V
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 570mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 210mA (Ta) 570mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN67D7L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMN67D8L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3429
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2605
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 129000
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22238

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