DMJ70H1D4SV3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2529
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMJ70H600SH3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
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