DMJ70H1D0SV3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2529
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
DMJ70H1D4SV3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMJ70H600SH3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMJ70H601SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2659
DMJ70H601SV3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2679
DMJ70H900HJ3 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523

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