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DDTC143EE-7 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-523
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-523
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DDTC143EE-7 Documentos

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Otros incluyen   "DDTC1"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDTC113TCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2731
DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3615
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2539
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18000
DDTC113TKA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2672
DDTC113TLP-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 31482
DDTC113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2566
DDTC113TUA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 15369
DDTC113ZCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2736
DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1498

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