DDTC113TLP-7 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 250mW
Package / Case 3-UFDFN
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DDTC113TLP-7 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDTC113TCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2731
DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3615
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2539
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18000
DDTC113TKA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2672
DDTC113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2566
DDTC113TUA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 15369
DDTC113ZCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2736
DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1498
DDTC113ZE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2718

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