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BDV65A
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BDV65A Especificaciones técnicas
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 125W |
Package / Case | TO-218-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-218 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
BDV65A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BDV65A
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Hojas de datos
BDV65A.pdf
Otros incluyen "BDV65" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDV65'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDV65 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2533 |
BDV65 | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
BDV65-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2634 |
BDV65-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDV65A-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2782 |
BDV65A-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDV65B | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2896 |
BDV65B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1397 |
BDV65B | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BDV65B-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2595 |
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