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BDV65B-S Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 12A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Bourns, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 3.5W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Supplier Device Package SOT-93
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDV65 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2533
BDV65 Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
BDV65-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2634
BDV65-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDV65A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2543
BDV65A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2782
BDV65A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDV65B Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2896
BDV65B AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1397
BDV65B ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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