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2N1131
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2N1131 Especificaciones técnicas
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Frequency - Transition | 50MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
Supplier Device Package | TO-39 |
Packaging | Bulk |
Other Names | 2N1131 PBFREE |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 600mA 50MHz 2W Through Hole TO-39 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N113" partes
Las siguientes partes incluyen '2N113'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N1131 | MOTOROLA | CIs Calientes Especializados | 416 |
2N1131 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N1131A | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2509 |
2N1131B | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
2N1132A | MOT | CIs Especializados | 5456 |
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