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BDV64C-S Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 120V 12A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Bourns, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 3.5W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Supplier Device Package SOT-93
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDV64 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2591
BDV64-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2500
BDV64-S Bourns Inc. BDV64-S
BDV64. NEC CIs Calientes Especializados 66850
BDV64A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1686
BDV64A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2655
BDV64A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDV64A. ON/PHI CIs Calientes Especializados 66850
BDV64B Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3097
BDV64B AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1441

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