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ALD110908ASAL Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Advanced Linear Devices, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 810mV @ 1µA
Series EPAD®
Power - Max 500mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12mA, 3mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4.8V
Packaging Tube
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ALD1101APAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2523
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2733
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2716
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2781
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs
ALD1101PAL Advanced Linear Devices, Inc. Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2576
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. Matrices de transistores MOSFETs

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