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SBC857CLT1G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type PNP
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SBC856ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3971
SBC856ALT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SBC856BDW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 102976
SBC856BDW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SBC856BDW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 30466
SBC856BDW1T3G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SBC856BLT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2716
SBC856BLT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SBC856BLT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20375
SBC856BLT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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