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SBC856BDW1T3G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 380mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SBC856ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3971
SBC856ALT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SBC856BDW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 102976
SBC856BDW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SBC856BDW1T3G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SBC856BLT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2716
SBC856BLT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SBC856BLT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20375
SBC856BLT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SBC856BLT3G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 29935

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