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SBC856BWT1G
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SBC856BWT1G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SBC85'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SBC856ALT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3971 |
SBC856ALT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
SBC856BDW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 102976 |
SBC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
SBC856BDW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 30466 |
SBC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
SBC856BLT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2716 |
SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
SBC856BLT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20375 |
SBC856BLT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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