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NTGD3147FT1G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case SOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -25°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "NTGD3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTGD3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTGD3122CT1G ON CIs Calientes Especializados 24000
NTGD3133PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 8817
NTGD3133PT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTGD3133PT1G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTGD3133PT1G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19465
NTGD3148NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 15341
NTGD3148NT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTGD3148NT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3428
NTGD3149CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 30265
NTGD3149CT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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