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NTGD3133PT1G
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NTGD3133PT1G Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Power - Max | 560mW |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NTGD3" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTGD3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTGD3122CT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 24000 |
NTGD3133PT1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTGD3133PT1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTGD3133PT1G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19465 |
NTGD3147FT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3223 |
NTGD3148NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 15341 |
NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTGD3148NT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3428 |
NTGD3149CT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 30265 |
NTGD3149CT1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs |
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