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NTD3817NT4G
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NTD3817NT4G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 702pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NTD38'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD3808N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2783 |
NTD3808N-1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTD3808N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2699 |
NTD3808N-35G | Rochester Electronics, LLC | NTD3808N-35G | |
NTD3808NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
NTD3813N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2535 |
NTD3813N-1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTD3813N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2736 |
NTD3813NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10275 |
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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