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NTB18N06T4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 48.4W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB18N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2507
NTB18N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
NTB18N06G Rochester Electronics, LLC NTB18N06G
NTB18N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7522
NTB18N06LG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11019
NTB18N06LG MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30291
NTB18N06LT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 52997
NTB18N06LT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3068
NTB18N06LT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 635
NTB18N06T4 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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