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NTB18N06G
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NTB18N06G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power Dissipation (Max) | 48.4W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB18N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2507 |
NTB18N06G | Rochester Electronics, LLC | NTB18N06G | |
NTB18N06L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7522 |
NTB18N06LG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11019 |
NTB18N06LG MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30291 |
NTB18N06LT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 52997 |
NTB18N06LT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3068 |
NTB18N06LT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 635 |
NTB18N06T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2768 |
NTB18N06T4 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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