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NTB13N10G
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NTB13N10G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power Dissipation (Max) | 64.7W (Ta) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Hojas de datos
NTB13N10G.pdf
Otros incluyen "NTB13" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTB13'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB13N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18811 |
NTB13N10T4 | ON | CIs Calientes Especializados | 38208 |
NTB13N10T4 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 446 |
NTB13N10T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 845 |
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