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NTB13N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 64.7W (Ta)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "NTB13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTB13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB13N10G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
NTB13N10T4 ON CIs Calientes Especializados 38208
NTB13N10T4 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 446
NTB13N10T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 845

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