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NSVBAT54LT1G
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NSVBAT54LT1G Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSVBA'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBAS116LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2713 |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2569 |
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