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NSVBAS116LT3G
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NSVBAS116LT3G Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSVBA'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2569 |
NSVBAS16WT3G | ON Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico |
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