NSV60601MZ4T1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 800mW
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 600mA, 6A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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NSV60100DMTWTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2704
NSV60100DMTWTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV60100DUW6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV60101DMR6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV60101DMTWTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2657
NSV60101DMTWTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV60200DMTWTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15692
NSV60200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV60201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15769

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