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NSV60101DMTWTBG
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NSV60101DMTWTBG Especificaciones técnicas
TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2015 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 2.27W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Max Collector Current | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Frequency - Transition | 180MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | S-PDSO-N6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Power - Max | 2.27W |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 180mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 100mA, 1A |
Transition Frequency | 180MHz |
VCEsat-Max | 0.2 V |
Lead Free | Lead Free |
NSV60101DMTWTBG Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSV60101DMTWTBG
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSV60" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSV60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSV60100DMTWTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2704 |
NSV60100DMTWTBG | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSV60100DUW6T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSV60101DMR6T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSV60101DMTWTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2657 |
NSV60200DMTWTBG | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSV60200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 15692 |
NSV60200LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSV60201LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 15769 |
NSV60201LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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