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NSS20500UW3TBG
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NSS20500UW3TBG Especificaciones técnicas
TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 875mW |
Package / Case | 3-WDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 400mA, 4A |
Supplier Device Package | 3-WDFN (2x2) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NSS20" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSS20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSS200-50 | NAE | Módulos IGBT | 2512 |
NSS20101JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2231 |
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS20101ST1G | ON | CIs Calientes Especializados | 2663 |
NSS20200DMTTBG | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSS20200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 393587 |
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS20200LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30306 |
NSS20200W6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2528 |
NSS20200W6T1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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