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NSS20201LT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 20V 2A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 460mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS200-50 NAE Módulos IGBT 2512
NSS20101JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2231
NSS20101JT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20101ST1G ON CIs Calientes Especializados 2663
NSS20200DMTTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSS20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 393587
NSS20200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30306
NSS20200W6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2528
NSS20200W6T1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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