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NSBA143ZDXV6T1G
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NSBA143ZDXV6T1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 50 Weeks |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | NSBA143ZDXV6T1GOS NSBA143ZDXV6T1GOS-ND NSBA143ZDXV6T1GOSTR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Base Part Number | NSBA1* |
NSBA143ZDXV6T1G Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NSBA1" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSBA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 5048 |
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