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NGTB50N60S1WG Especificaciones técnicas

IGBT 50A 600V TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 94ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 220nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 100ns/237ns
Supplier Device Package TO-247-3
Power - Max 417W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Otros incluyen   "NGTB5"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB50N120FL2WAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2654
NGTB50N120FL2WAG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6241
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 13696
NGTB50N60FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 600
NGTB50N60FLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB50N60FWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2772

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