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NGTB30N120L2WG
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NGTB30N120L2WG Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 60A 534W TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 310nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 116ns/285ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 534W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NGTB3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NGTB30N120FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 448 |
NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB30N120IHLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2619 |
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB30N120IHLWG | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
NGTB30N120IHRWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2526 |
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB30N120IHRWG | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
NGTB30N120IHSWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2773 |
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBTs individuales |
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