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MSC2712YT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.1A SC-59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SC-59
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 50MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSC2712G ON CIs Calientes Especializados 2746
MSC2712GT1 ON CIs Calientes Especializados 112664
MSC2712GT1 IC LRC CIs Calientes Especializados 120265
MSC2712GT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 179443
MSC2712GT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSC2712YLT1 ON CIs Calientes Especializados 1688
MSC2712YT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MSC2712YT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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