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MSC2712GT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SC-59
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 50MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSC2712G ON CIs Calientes Especializados 2746
MSC2712GT1 ON CIs Calientes Especializados 112664
MSC2712GT1 IC LRC CIs Calientes Especializados 120265
MSC2712GT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSC2712YLT1 ON CIs Calientes Especializados 1688
MSC2712YT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MSC2712YT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1368902
MSC2712YT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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