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MPS6602G
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MPS6602G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 40V 1A TO92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MPS66" partes
Las siguientes partes incluyen 'MPS66'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MPS6601 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2248 |
MPS6601 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPS6601 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MPS6601G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2645 |
MPS6601G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MPS6601G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPS6601RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2543 |
MPS6601RLRA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPS6601RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2692 |
MPS6601RLRAG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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