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MMUN2216LT1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 246mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "MMUN2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMUN2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMUN2111 N/A CIs Calientes Especializados 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111RLT1 LRC CIs Calientes Especializados 3500
MMUN2111RLT1G ON CIs Calientes Especializados 4270

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