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MMJT9435T1G
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MMJT9435T1G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 30V 3A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 3W |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 800mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 110MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'MMJT9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMJT9410 | ON | CIs Calientes Especializados | 623 |
MMJT9410G | ON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MMJT9410T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2660 |
MMJT9410T1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMJT9410T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 41738 |
MMJT9410T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMJT9410T1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MMJT9410T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2224 |
MMJT9410T1G/MMJT9435 | ON | CIs Calientes Especializados | 2513 |
MMJT9435 | ON | CIs Calientes Especializados | 18100 |
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