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MJF122G Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 20mA, 5A
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJF122 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2772
MJF122 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJF122 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJF122F AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30
MJF122G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJF127 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 621
MJF127 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJF127 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJF127G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2700
MJF127G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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