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MJF122
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MJF122 Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 20mA, 5A |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJF122
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MJF12" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJF12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJF122 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJF122 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJF122F | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30 |
MJF122G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 312 |
MJF122G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJF127 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 621 |
MJF127 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJF127 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MJF127G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2700 |
MJF127G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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