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MJD3055TF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 10A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount D-Pak
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
Base Part Number MJD3055
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Original-Reel®
Other Names MJD3055TFDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
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Las siguientes partes incluyen  'MJD30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD3055 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 36728
MJD3055 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD3055 MOS CJ CIs Calientes Especializados 527
MJD3055G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1007
MJD3055G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD3055T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6079
MJD3055T4 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6079
MJD3055T4 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD3055T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2214
MJD3055T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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