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MJD112TF Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount D-Pak
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
Base Part Number MJD112
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names MJD112TF-ND MJD112TFTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Frequency - Transition 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
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Otros incluyen   "MJD11"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MJD11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD112 Original CIs Calientes Especializados 218280
MJD112-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2663
MJD112-001 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD112-001G ON CIs Calientes Especializados 3128
MJD112-1 MOTOLOR CIs Calientes Especializados 12811
MJD112-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5307
MJD112-1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD112-1G/MJD117 ON/FAI CIs Calientes Especializados 2692
MJD112-RTF KEC CIs Calientes Especializados 3252
MJD112-RTF/P KEC CIs Calientes Especializados 3432

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