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MJD112-1G
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MJD112-1G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Supplier Device Package | I-Pak |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 25MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
MJD112-1G Documentos
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Hojas de datos
MJD112-1G.pdf
Otros incluyen "MJD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD112 | Original | CIs Calientes Especializados | 218280 |
MJD112-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2663 |
MJD112-001 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD112-001G | ON | CIs Calientes Especializados | 3128 |
MJD112-1 | MOTOLOR | CIs Calientes Especializados | 12811 |
MJD112-1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD112-1G/MJD117 | ON/FAI | CIs Calientes Especializados | 2692 |
MJD112-RTF | KEC | CIs Calientes Especializados | 3252 |
MJD112-RTF/P | KEC | CIs Calientes Especializados | 3432 |
MJD112-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2790 |
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