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MJ11012G Especificaciones técnicas
MJ11012G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~200°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 200W |
Terminal Form | PIN/PEG |
Current Rating | 30A |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 200W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Transition Frequency | 4MHz |
Frequency - Transition | 4MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 26.67mm |
Width | 8.509mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago) |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
Number of Pins | 2 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tray |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Max Collector Current | 30A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 4V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
Continuous Collector Current | 30A |
Length | 39.37mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MJ11012G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJ11012G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJ110" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJ110'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJ1100FE-R52 | Ohmite | Resistores de Agujero Pasante | 2706 |
MJ11012 | MOT | CIs Especializados | 2459 |
MJ11012G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2573 |
MJ11013 | MOT | CIs Especializados | 1200 |
MJ11014 | ON | CIs Calientes Especializados | 1322 |
MJ11015 | MOT | CIs Calientes Especializados | 14640 |
MJ11015G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 567 |
MJ11015G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJ11016 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5418 |
MJ11016 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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