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FQI4N90TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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Otros incluyen   "FQI4N"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI4N20 FSC CIs Calientes Especializados 3500
FQI4N20L FSC CIs Calientes Especializados 466
FQI4N20LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2630
FQI4N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FQI4N20TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU Rochester Electronics, LLC FQI4N20TU
FQI4N25 FSC CIs Calientes Especializados 8000
FQI4N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
FQI4N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682

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