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FQB3N80TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 3A (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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Las siguientes partes incluyen  'FQB3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB3N25 VB CIs Calientes Especializados 33000
FQB3N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34333
FQB3N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34333
FQB3N30 VB CIs Calientes Especializados 33000
FQB3N30TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34226
FQB3N30TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34226
FQB3N40TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34104
FQB3N40TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34104
FQB3N60 VB CIs Calientes Especializados 34104
FQB3N60C FCS CIs Calientes Especializados 5420

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