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FQB3N25TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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Otros incluyen   "FQB3N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB3N25 VB CIs Calientes Especializados 33000
FQB3N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34333
FQB3N30 VB CIs Calientes Especializados 33000
FQB3N30TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34226
FQB3N30TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34226
FQB3N40TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34104
FQB3N40TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34104
FQB3N60 VB CIs Calientes Especializados 34104
FQB3N60C FCS CIs Calientes Especializados 5420
FQB3N60CTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2737

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