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FQAF19N60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case SC-94
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PF
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
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FQAF19N60 Documentos

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Otros incluyen   "FQAF1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQAF1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQAF10N80 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12842
FQAF10N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15925
FQAF11N40 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000
FQAF11N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000
FQAF11N90 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000
FQAF11N90 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000
FQAF11N90C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9308
FQAF11N90C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9308
FQAF11N90C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
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